IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
8
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
16
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
7
6
5
4
3
2
1
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
8
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
7
6
5
4
V GS = 10V
8V
7V
6V
2.8
2.5
2.2
1.9
V GS = 10V
I D = 8A
1.6
3
2
1.3
1
I D = 4A
1
0
5V
0.7
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
9
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3
2.8
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
T J = 125 o C
8
7
6
5
2
1.8
1.6
4
3
1.4
1.2
1
0.8
T J = 25 o C
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
IXTQ102N15T MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
IXTQ110N055P MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
IXTQ140N10P MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
IXTQ14N60P MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
IXTQ150N06P MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P
IXTQ160N085T MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P
IXTQ160N10T MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
IXTQ16N50P MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P
相关代理商/技术参数
IXTP8N50PM 功能描述:MOSFET 4.6 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP8P25 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220
IXTP90N055T 功能描述:MOSFET MOSFET Id90 BVdass55 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP90N055T2 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP90N075T2 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP90N15T 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP96P085T 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP98N075T 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube